問題一、MOS管做開關(guān)的一個問題

如題所述：單獨用MOS管開關(guān)和三極管配合MOS管做開關(guān)有什么區(qū)別呢？

注：三極管是一種三端口半導(dǎo)體器件，由三個摻雜不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。它的主要結(jié)構(gòu)包括一個n型或p型的摻雜基區(qū)，以及兩個p型或n型的摻雜區(qū)。其中，基區(qū)夾在兩個摻雜區(qū)之間，這三個區(qū)域形成了兩個pn結(jié)，因此三極管也被稱為雙極型晶體管。三極管通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。

MOS管是一種四端口半導(dǎo)體器件，由金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）和金屬氧化物半導(dǎo)體雙極性晶體管（MOS-bipolar transistor）兩種類型構(gòu)成。MOSFET的主要結(jié)構(gòu)包括一個金屬柵、一個絕緣層和一個半導(dǎo)體材料。金屬柵和半導(dǎo)體材料之間的絕緣層可以控制柵極電壓，從而控制漏極電流。MOSFET的特點是輸入阻抗高，輸出電阻低，開關(guān)速度快，可靠性高。

三極管主要用于放大和開關(guān)電路，而MOS管則主要用于功率放大和開關(guān)電路，特別是在高頻率和高電壓的情況下，MOS管的優(yōu)勢更加明顯。

問題二、一個NPN+P-mos開關(guān)電路中MOS管容易壞的原因

一個簡單的NPN+P_MOS開關(guān)控制，負載是850nm激光二極管，驅(qū)動MCU是STC15F2。現(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，

激光器的參數(shù)，這是后面其中一組激光器的原理圖，另一組跟它是一樣的，一共10顆，每顆功率100mw，型號ML101J25。

上期解答：

上期解答一、MOS管不會導(dǎo)通，但是電路上會有電流流過，主要是一般MOS管里面都有個體二極管，現(xiàn)在的這個接法MOS內(nèi)部的二極管正向?qū)?/span>

上期解答二、其實是有電子器件都會有漏電流情況，只是多少而已，像NMOS和PMOS本身也會需要消耗電流的，其數(shù)值大小取決于器件制造本身所確定的，重點是NMOS和PMOS的漏電流參數(shù)IGSS和IDSS，一般實際在線應(yīng)用能夠不大于出廠參數(shù)就算已經(jīng)是極低的漏電流了，即使這樣也還是需要在電路實際制作中加以控制和適當調(diào)整至最佳狀態(tài)。

注：這個取決于VGS&VDS及Ron所加電壓及硬件組合環(huán)境有關(guān)。