我們首先拿一個NMOS來舉例。

對于N溝道MOS管來說其導通條件一般為VG大于VS電壓。

假設一個5V電壓作用于柵極，MOS管在這一瞬間被導通。

原因是此時VG=5V, VS=0V,從而滿足了導通條件VGS大于0。

當MOS管導通后，VS會變為VCC,也就是12V，在這時VGS電壓將變為5V，減去原本的12V，VGS變成了-7V，在這一瞬間MOS管將被關斷。

但在某些電路中又必須將負載放在源極下面。

用三極管基極通上高電平，三極管導通，這就意味著mos管的柵極連接到了0V，所以MOS管關斷。

但同時，這個電容器將充電到12V，在這個充電過程中，源極電壓會慢慢從12V降為0V，所以當三極管基極放置低信號時，三極管被關斷，在這一瞬間MOS管的柵極電壓被電容抬高了。

因此，加在柵極上的電壓，是電容器的12V再加上來自VCC的12V電壓，所以是24V。

最后，這次GS電壓為24,減去前面的12，為12V，因此mos管處于導通狀態。

（MOS管負載開關電路原理圖）