MOS 管快速開關(guān)及驅(qū)動電路設(shè)計要點(diǎn)你都了解嗎？

在電路中，存在 3 個 MOS 管的結(jié)電容，寄生電感源于電路走線。倘若不考慮紋波、EMI（電磁干擾）和沖擊電流等因素，從理論上來說，MOS 管的開關(guān)速度越快，對電路性能越有利。這是因?yàn)殚_關(guān)時間越短，開關(guān)損耗就越小，而在開關(guān)電源里，開關(guān)損耗在總損耗中占據(jù)相當(dāng)大的比例。所以，MOS 管驅(qū)動電路的設(shè)計優(yōu)劣直接決定了電源的效率表現(xiàn)。

那么如何實(shí)現(xiàn) MOS 管的快速開啟和關(guān)閉呢？

關(guān)鍵在于提供足夠大的瞬間驅(qū)動電流。其理論依據(jù)是：

對于單個 MOS 管，將 GS 間電壓從 0 拉至開啟電壓或從開啟電壓降至 0V 的時間越短，開啟和關(guān)斷速度就越快，因此要在更短時間內(nèi)改變 GS 電壓，就需給柵極更大的瞬間驅(qū)動電流。

在MOS 驅(qū)動電路設(shè)計時，還需注意以下幾點(diǎn)：

在柵極串聯(lián)約 10 歐電阻，以降低 LC 振蕩電路的 Q 值，使振蕩快速衰減。

為了防止 MOS 管誤導(dǎo)通，可以在 MOS 管 G 極和 S 極間并聯(lián)一個 10K 電阻，降低輸入阻抗。

此外，在 GS 之間并聯(lián)約 18V 的 TVS 瞬態(tài)抑制二極管，防止 MOS 管被瞬間高壓擊穿。