您知道MOS管帶載能力和哪些有關嗎？

漏源電流和內阻，是判定 MOS 管帶載能力的關鍵指標。

依據(jù)公式P=I2R，漏源電流越大，內阻越小， MOS 管的帶載能力越強。

當 MOS 管完全導通時，導通電阻就相當于漏源極之間的“小電阻”，（如圖）VCC→RDS(on) →RL→GND形成回路。

還要考慮的一個因素是電阻分壓原理，串聯(lián)電路中的分壓與阻值成正比，電阻值越大分得的電壓越多。通過并聯(lián)使用 MOS 管，可以減小總的內阻，從而增強帶載能力。

漏源電流規(guī)定了在正常工作時，從漏極流向源極所能安全承載的最大電流

當內阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易發(fā)熱，壽命變短，甚至炸裂。

而內阻越小，負載產(chǎn)生的分壓越多，獲得的能量就越大，說明帶載能力越強，所以一般選用內阻較低的MOS管。

而內阻RDS(on)又跟什么有關呢?

我們來舉例說明，當驅動電壓為10V，導通電阻為0.12Ω。

MOS的導通電阻隨溫度上升而上升，下圖顯示該MOS的導通電阻在結溫為130℃的時候，為20℃時候的2倍。

從下圖可以看到，驅動電壓越高，實際上導通電阻略大，而且最大導通電流也略大。

因此，選擇 MOS 管時應考慮其漏源電流、內阻以及這些參數(shù)隨溫度和電壓的變化。在高功率或高散熱需求的應用中，考慮使用低內阻的 MOS 管，并可能需要采用并聯(lián)方式以增強帶載能力。